問(wèn)答題畫出雙阱CMOS電路工藝順序簡(jiǎn)化圖。
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下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題