源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復晶格損傷，激活雜質。

薄柵管ESD保護結構的ESD保護能力通常為多少？（）

STI技術相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產生鳥嘴效應。

如果制作柵氧結構，一般采用的方法是（）。

反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）

用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

MOS結構指的是金屬氧化物半導體結構的簡稱。

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）

CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。