MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

集成電路再分析軟件其處理的主要對象是（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。

為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）

一個四輸入的或非門，一般采用幾個pitch？（）

為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。