新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。