CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）