CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

CMP的設備構成包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）