光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）