化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。