影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。