互連工藝中AL的制備可選用（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。