由于顯影時的變形和膨脹,負性光刻膠通常只有2μm的分辨率。 正性光刻膠。
1.將掩膜版圖案轉移到硅片表面頂層的光刻膠中。 2.在后續(xù)工藝中保護下面的材料。
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
影響封裝芯片特性的溫度有()。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移?()
目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
光刻工藝的設備核心是()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關?()
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
進行光刻工藝前的清洗步驟是()。