注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝對準誤差包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）