1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統 5.工藝室
1.對下層柵氧化層具有高的選擇比 2.非常好的均勻性和可重復性。 3.高度的各向異性
最新試題
消除鳥嘴效應的方法有()。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
常壓的硅外延方法有()。
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產生二氧化硅層,厚度約為()。
光刻工藝的特點包括()。
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
摻雜后,退火的目的是()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關?()