判斷題某硅柵工藝設(shè)計(jì)中,與孔1(接觸孔)沒有連接關(guān)系的圖層是多晶層。
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關(guān)于電路的層次,自下向上順序正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路的制造工藝,需要采用隔離技術(shù),常見的隔離方法有()。
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反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下工藝中,方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù),一般用于衡量()工藝中雜質(zhì)情況。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無論是施加正偏壓還是反偏壓,MOS電容都是一種線性電容。
題型:判斷題
氧化層中摻雜了硼雜質(zhì),一般稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào),可以選擇以下哪個(gè)命令?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí),采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化,在集成電路中,經(jīng)常采用()工藝。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題