在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。

用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。