光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。

無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。

光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）

用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）