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A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO
A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下
A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件
A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
最新試題
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會下降。
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
由兩個觸發(fā)器組成的時序電路,所以其工作狀態(tài)應(yīng)為()種。
9個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
全加器的輸出信號是()
下列受時鐘控制的是()
下面哪個集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()
集成運(yùn)放在信號運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。