化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。