封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。