填空題負(fù)膠適于刻蝕（）（細(xì)/粗）線條。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
3.單項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)屬于主擴(kuò)散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
4.單項(xiàng)選擇題
不論正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅(jiān)膜
以下選項(xiàng)排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅
最新試題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題