判斷題在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過(guò)程主要是表面反應(yīng)速率控制
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)屬于主擴(kuò)散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
2.單項(xiàng)選擇題
不論正膠或負(fù)膠，光刻過(guò)程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅(jiān)膜
以下選項(xiàng)排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無(wú)定形二氧化硅
4.名詞解釋再分布
5.名詞解釋平均投影射程RP
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題