在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

二極管存在最高工作頻率是因為PN 結(jié)有電容效應。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

自由電子是載流子，空穴不是。

OED/ORD

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

本征半導體導電性能很差。