理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

薄層電阻

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

結(jié)電容是常量。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。