單項選擇題
晶圓加工的基本流程順序為（）。
（1）切片
（2）外形整理
（3）研磨
（4）倒角
（5）清洗
（6）拋光
A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）
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1.單項選擇題下面哪種方式也稱為濕法去膠？（）
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
2.單項選擇題
下圖屬于什么光刻機(jī)？（）
A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)
3.單項選擇題對于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下（）方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
4.單項選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
5.單項選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢