單項(xiàng)選擇題下面哪種方式也稱為濕法去膠?()
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
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1.單項(xiàng)選擇題
下圖屬于什么光刻機(jī)?()
A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下()方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
3.單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是()。
A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
4.單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是()。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
5.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是()。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
最新試題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無影響的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題