單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
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1.單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
2.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
3.單項(xiàng)選擇題二氧化硅中每個(gè)硅原子周?chē)校ǎ﹤€(gè)氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
4.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
5.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
最新試題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題