單項選擇題對于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下（）方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
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1.單項選擇題WCVD工藝第一步是（）。
A.浸潤
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
2.單項選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴散作用的金屬是（）。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
3.單項選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
4.單項選擇題二氧化硅中每個硅原子周圍有（）個氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
5.單項選擇題以下哪項不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
最新試題
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
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在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進行有效的切除。
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凸點的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
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題型：判斷題