進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。