刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的特點包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。