版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接？（）

為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。

光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

MOS管版圖一般匹配原則有（）。

關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。

CMOS電路是通過(guò)有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥(niǎo)嘴效應(yīng)。