試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

自由電子是載流子，空穴不是。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。