金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。