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問答題注入束中的中性原子是如何形成的？它有什么害處？如何避免？

1.問答題離子注入摻雜的優(yōu)點是什么？寫出CMOS集成電路制備工藝中用到的離子注入。

2.問答題什么是含Cl氧化，含Cl氧化的好處是什么？

3.填空題單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價鍵失配，減少表面復合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時，反應中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

4.填空題圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實現(xiàn)好的選擇性，適合于對（）和（）的刻蝕。

5.填空題干法刻蝕的終點檢測有許多方法，通常采用的是（）終點檢測方法。