摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

MOS管版圖一般匹配原則有（）。

反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）

關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。

如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）