源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）

CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）

薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）

CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。