版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）

關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。

版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

MOS管版圖一般匹配原則有（）。

CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。

反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）

在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。