多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。

A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器


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1.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。

A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm

2.單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）

A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb

3.單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時，可以避免。

A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>

4.多項(xiàng)選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）

A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長十幾nm厚的柵氧化層時，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快