單項選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時，為了避免溝道效應可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實際注入了多少硼？（）
A.可以，實際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實際注硼：QB+QSb
D.可以，實際注硼：QB-QSb
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1.單項選擇題在離子注入摻雜時，有少部分雜質(zhì)進入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當偏離晶向（）ψc注入時，可以避免。
A.橫向效應，>
B.橫向效應，<
C.溝道效應，<
D.溝道效應，>
2.多項選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長十幾nm厚的柵氧化層時，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
3.單項選擇題在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
最新試題
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
消除鳥嘴效應的方法有（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題