OED/ORD

自由電子帶負電，空穴帶正電。

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

點接觸型比面接觸型二極管的結電容面積小，因此其最高工作頻率低。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關。

關于PN 結的導電，下列敘述不正確的是：（）

列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？