問(wèn)答題以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。
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最新試題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
OED/ORD
題型：名詞解釋
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
純凈的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題