光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。