光刻工藝的特點包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后退火時間一般在（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。