刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）