刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。