厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）