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判斷題化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來的一個(gè)顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

1.判斷題蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分

2.判斷題LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。

3.判斷題在一個(gè)化學(xué)氣相淀積工藝中，如果淀積速率是反應(yīng)速率控制的，則為了顯著增大淀積速率，應(yīng)該增大反應(yīng)氣體流量。

4.判斷題在熱氧化過程的初始階段，二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。

5.判斷題用來制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。