集成電路技術綜合練習問答題每日一練(2019.01.23)

多晶硅是由多個單晶單元隨機堆積形成的，多晶硅沒有單晶所特有的特征，如各向異性、短程有序等。

光刻和刻蝕

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對齊

設計規(guī)則由生產(chǎn)廠家提供

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。