集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.05.03)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:
40GHz
參考答案:
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
4.問答題MOS管尺寸縮小對器件性能有哪些影響?
參考答案:
由于芯片面積很小且經(jīng)歷的加工條件幾乎相同
6.問答題氧化的目的是什么?
參考答案:
利用硅獨有的特性制造薄到幾十埃(只有幾個原子層)的柵氧化層
參考答案:
設(shè)計資料庫、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設(shè)計工具、版圖驗證工具
8.問答題什么是MOS管的體效應(yīng)?
參考答案:
襯底接地,但是源極未接地,將而影響Vt值
9.問答題什么是離子注入損傷?
參考答案:
離子注入損傷,是指獲得很大動能的離子直接進入半導(dǎo)體中造成的一些晶格缺陷。
參考答案:
器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子,即二維電子氣。