集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:
增強(qiáng)型和耗盡型
3.問答題濕法刻蝕和干法刻蝕的區(qū)別?
參考答案:濕法刻蝕設(shè)備簡單、工藝操作方便,一般的常規(guī)生產(chǎn)均能滿足要求,但各向同性刻蝕性太強(qiáng),難以控制線寬,而且刻蝕劑大多為腐蝕性較...
參考答案:
對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
參考答案:
發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運(yùn)與復(fù)合和集電區(qū)的收集
6.問答題MOS管尺寸縮小對器件性能有哪些影響?
參考答案:減小L和tox提高M(jìn)OSFET的電流控制能力,減小W將減小輸出功率和電流控制能力,同時(shí)減小Ltox和W將保持Ids不變和...
參考答案:
是P和N半導(dǎo)體相互浸入形成的。
如果外部不加控制電壓就有導(dǎo)電溝道的是耗盡型
如果需要外部加控制電壓才有導(dǎo)電溝道的是增強(qiáng)型。
參考答案:D-FF;Latch;三狀態(tài)門;組合電路
9.問答題簡述硅單晶研磨清洗的重要性。
參考答案:硅片清洗的重要性:硅片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞成為懸掛鍵,形成表面附近的自由力場,極易吸附各種雜質(zhì),如顆粒...
10.問答題離子注入后為何退火?
參考答案:因?yàn)榇蟛糠肿⑷氲碾x子并不是以替位形式處在晶格點(diǎn)陣位置上,而是處于間隙位置,無電活性,一般不能提供導(dǎo)電性能,所以離子注入后...