集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2020.06.09)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：
集成電路通常制作在半導體襯底材料上，集成電路的基本元件是依據(jù)半導體特性構成
參考答案：
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對齊
參考答案：小規(guī)模集成電路（SSI），中規(guī)模集成電路（MSI），大規(guī)模集成電路（VSI），超大規(guī)模集成電路（VLSI），特大規(guī)模集成... 參考答案：
特征尺寸不斷縮小、增大芯片面積及單元結構的改進。
參考答案：首先NPN具有較薄的基區(qū)，提高了其性能：N阱使得NPN管C極與襯底斷開，可根據(jù)電路需要接任意電位。缺點：集電極串聯(lián)電阻還... 參考答案：準則可以指導版圖設計者采用合適的版圖設計技術來提高電路的匹配性能、抗干擾性能和高頻工作性能等，尤其對于高性能的模擬電路和... 參考答案：
從芯片外延和掩膜制作，光刻，材料淀積和刻蝕，雜質擴散或注入，到滑片封裝的全過程。
參考答案：1、襯底制備；
2、生長埋層（埋層氧化、光刻、摻雜）；
3、外延生長；
4、生長隔離區(qū)（隔... 參考答案：
切片決定了硅片的四個重要參數(shù)：晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。
